設備簡介：
◆ 硅片Si、化合物(GaAs, InP, SiC, GaN)樣片表面缺陷的檢查分析，包含微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡，同時也可以添加PL功能用以檢測某些外延EPI缺陷。該設備可以兼容透明片和不透明片。
KLA Candela?8720面缺陷檢測設備是針對半導體材料的表面缺陷的檢查分析儀器。該設備利用雙束激光掃描樣品的整個表面，通過5個頻道（散射光頻道、反射光頻道、相移頻道、Z頻道以及PL頻道）的探測器所收集到的信號，快速的將缺陷（包括微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡等）進行分類，統計每一種缺陷的數量并且量測出相應的缺陷尺寸，后給出整個表面的缺陷分布圖以及檢測報告。根據預先設定的標準，可以給出檢測樣品合格與否的判斷。同時8720型號可以針對化合物GaN外延材料進行高精度的外延缺陷(極細裂痕，凹坑等)檢測，在化合物外延領域擁有很好的市場占有率。
◆ 標準夾具從2英寸到8英寸的樣品；
◆ 可用于不透明及透明的材料的表面缺陷檢測；
◆ 可偵測的缺陷類型：顆粒，劃傷，突起，凹坑，水漬等；
◆ 可偵測化合物GaN外延材料的專有外延缺陷；
◆ 自動傳輸模式8720；
◆ 高精度的顆粒缺陷靈敏度（60nm直徑）；
◆ 強大的自動缺陷分類、統計分布和判別軟件。缺陷分布圖以及檢測報告內的每一個缺陷都有4個頻道拍到的照片儲存在設備內部，這些照片可以輔助技術人員分析缺陷的成因及進行相關驗證。
◆ 內部的過濾器可以保證內部的潔凈環境為10級，防止內部污染的同時該儀器還能長期保持穩定準確。擁有優秀的售后服務保障體系。
◆ 化合物半導體：GaAs，InP, SiC，GaN
◆ 硅基器件：功率器件，MEMS，射頻MEMS
◆ 光通訊：石英材料類
